FF200R12KE3HOSA1

Описание

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

21 564 ₽

цена с НДС

38 шт
4-6 недель

1 шт

21 564 ₽
10 шт

17 050 ₽
100 шт

14 728 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 21 564 ₽
При покупке кэшбэк 3 234 балла

Добавить в корзину

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

FF200R12KE3HOSA1 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	Module
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Рассеивание мощности	1050W
Конфигурация	2 Independent
Исполнение корпуса	Module
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1200V
Обратный ток коллектора (Max)	5mA
Тип IGBT	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) @ Vce	14nF @ 25V
Вход	Standard
NTC термистр	Yes

Производитель

Infineon Technologies

Документация

Datasheetpdf, 8,55 KB

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	Module
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Рассеивание мощности	1050W
Конфигурация	2 Independent
Исполнение корпуса	Module
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1200V
Обратный ток коллектора (Max)	5mA
Тип IGBT	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.15V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) @ Vce	14nF @ 25V
Вход	Standard
NTC термистр	Yes

FF200R12KE3HOSA1

Описание

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

Infineon Technologies

Документация

Datasheetpdf, 8,55 KB

Бесплатно доставим FF200R12KE3HOSA1 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FF200R12KE3HOSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Сопутствующие товары

4 шт - 4-6 недель

от 34887 ₽

Кэшбэк + 5233

Подробнее

Подробнее

Смотреть все

Похожие товары

2ED300C17SROHSBPSA1

Infineon Technologies

Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV

22 шт - 4-6 недель

от 37196 ₽

Кэшбэк + 5579

6MS24017P43W41646NOSA1

Infineon Technologies

MODULE IGBT STACK A-MS3-1

1 шт - 4-6 недель

от 3986146 ₽

Кэшбэк + 597922

BSM100GAL120DLCKHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

20 шт - 4-6 недель

от 15358 ₽

Кэшбэк + 6911

BSM100GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

409 шт - 4-6 недель

от 36463 ₽

Кэшбэк + 5469

BSM100GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

3464 шт - 4-6 недель

от 38217 ₽

Кэшбэк + 5733

BSM100GB120DN2KHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

4 шт - в наличии

732 шт - 4-6 недель

от 20103 ₽

Кэшбэк + 3015

BSM100GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 600V 130A

1436 шт - 4-6 недель

от 12023 ₽

Кэшбэк + 7214

BSM100GD120DLCBOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

4 шт - 4-6 недель

от 68473 ₽

Кэшбэк + 10271

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

2244 шт - 4-6 недель

от 10496 ₽

Кэшбэк + 7872

Infineon Technologies

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

89 шт - 4-6 недель

от 12142 ₽

Кэшбэк + 7285

BSM150GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

435 шт - 4-6 недель

от 31639 ₽

Кэшбэк + 9492

BSM200GA120DLCSHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

265 шт - 4-6 недель

от 34500 ₽

Кэшбэк + 5175

Смотреть все

Выберите ваш город