Каталог товаров
Назад

FF200R12KE3HOSA1

  • Описание
    Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
18 590
цена с НДС
  • 1 шт
    18 590 ₽
  • 10 шт
    15 871 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 18 590
При покупке кэшбэк 2 788 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

FF200R12KE3HOSA1 характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 125°C
Рассеивание мощности 1050W
Конфигурация 2 Independent
Исполнение корпуса Module
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 125°C
Рассеивание мощности 1050W
Конфигурация 2 Independent
Исполнение корпуса Module
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

FF200R12KE3HOSA1

  • Описание
    Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатно доставим FF200R12KE3HOSA1 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FF200R12KE3HOSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
44 шт - 4-6 недель
от 32172 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 4826

Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
24 шт - 4-6 недель
от 36694 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5504
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт - 4-6 недель
от 3882324 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 582349
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
24 шт - 4-6 недель
от 12443 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7466
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
409 шт - 4-6 недель
от 35513 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5327
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
4 шт - в наличии
745 шт - 4-6 недель
от 18172 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 2726
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
4 шт - 4-6 недель
от 66690 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 10004
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
2256 шт - 4-6 недель
от 10223 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7667
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
89 шт - 4-6 недель
от 11826 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7096
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
435 шт - 4-6 недель
от 25638 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7691
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
275 шт - 4-6 недель
от 12216 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7330
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
643 шт - 4-6 недель
от 27954 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 8386
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
265 шт - 4-6 недель
от 33601 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5040