SS36C Дискретные полупроводники, DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB, Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

SS36C характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DO-214AB, SMC
Технология	Schottky
Исполнение корпуса	DO-214AB (SMC)
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	3A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	700 mV @ 3 A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	500 µA @ 60 V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	60 V
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	-65°C ~ 150°C
Емкость @ Vr, F	300pF @ 4V, 1MHz
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DO-214AB, SMC
Технология	Schottky
Исполнение корпуса	DO-214AB (SMC)
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	3A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	700 mV @ 3 A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	500 µA @ 60 V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	60 V
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	-65°C ~ 150°C
Емкость @ Vr, F	300pF @ 4V, 1MHz
Grade	-
Qualification	-