G040P02K от 1418 ₽, Дискретные полупроводники, MOSFET P-CH -20V 90A TO-252-3, Goford Semiconductor

G040P02K характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20 V
Ток стока (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9245 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 2.5V
Vgs (Max)	±12V
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20 V
Ток стока (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9245 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 2.5V
Vgs (Max)	±12V
Grade	-
Qualification	-