Каталог товаров
Назад

GT2K6P15K

  • Описание
    Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1400 пФ @ 75 В, ток стока (Id) @ 25°C 11 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В
1 568
цена с НДС
  • 1 шт
    1 568 ₽
  • 10 шт
    284 ₽
  • 100 шт
    113 ₽
  • 500 шт
    80 ₽
  • 1000 шт
    78 ₽
  • 2500 шт
    62 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 1 568
При покупке кэшбэк 235 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.
  • Производитель
    Goford Semiconductor

GT2K6P15K характеристики

Упаковка Лента на катушке (TR)
Вид монтажа Поверхностный монтаж (SMD)
Корпус TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология MOSFET (полевой с изолированным затвором)
Рабочая температура -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Исполнение корпуса TO-252
Рассеивание мощности (Макс) 58W (Tc)
Тип полевого транзистора P-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 150 V
Ток стока (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Сопротивление открытого канала Rds(on), макс. при Id, Vgs 240mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
Заряд затвора Qg, макс. при Vgs 36 nC @ 10 V
Входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1400 pF @ 75 V
Управляющее напряжение (при макс. и мин. Rds(on)) 10V
Напряжение затвор-исток Vgs, макс. ±20V

GT2K6P15K

  • Описание
    Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1400 пФ @ 75 В, ток стока (Id) @ 25°C 11 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В
GT2K6P15K
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Goford Semiconductor

Бесплатно доставим GT2K6P15K в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Дискретные полупроводники GT2K6P15K Goford Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить GT2K6P15K с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Недавно просмотренные


Похожие товары
APTGX450A170T6LIAG
Microchip Technology
Дискретный полупроводник: входная ёмкость (Cies) @ Vce 45600 пФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор эмиттер 1700 В, корпус модуль, вход стандартный
5 шт - 4-6 недель
от 65048 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 9757
G040P02K
Goford Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 9245 пФ @ 10 В, ток стока (Id) @ 25°C 90 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 20 В
749 шт - 4-6 недель
от 1568 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 235
Good-Ark Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 446 пФ @ 50 В, ток стока (Id) @ 25°C 15 А (Ta), напряжение сток исток ( (Vdss) 100 В
2929 шт - 4-6 недель
от 1451 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 218
GT2K6P15K
Goford Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1400 пФ @ 75 В, ток стока (Id) @ 25°C 11 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В
98 шт - 4-6 недель
от 1568 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 235
Goford Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 3400 пФ @ -100 В, ток стока (Id) @ 25°C 18 А, напряжение сток исток ( (Vdss) 200 В
2373 шт - 4-6 недель
от 1699 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
GT2K2P15K
Goford Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1200 пФ @ -75 В, ток стока (Id) @ 25°C 13 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В
1280 шт - 4-6 недель
от 1564 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 235
DACO Semiconductor
Дискретный полупроводник: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1,3 В @ 200 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 25 мкА @ 400 В, корпус TO-244AB
20 шт - 4-6 недель
от 25328 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 3799
MUR400A40CTR
DACO Semiconductor
Дискретный полупроводник: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1,3 В @ 200 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 25 мкА @ 400 В, корпус TO-244AB
20 шт - 4-6 недель
от 25328 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 3799
MUR420G
onsemi
Дискретный полупроводник: ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 5 мкА @ 200 В, прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 890 мВ @ 4 А
907 шт - 4-6 недель
от 180 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 27
DACO Semiconductor
Дискретный полупроводник: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1,45 В @ 200 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 25 мкА @ 600 В, корпус TO-244AB
20 шт - 4-6 недель
от 28595 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 4289
MUR4065B-BP
MCC (Micro Commercial Components)
Дискретный полупроводник: ёмкость @ Vr, F 195 пФ @ 4 В, 1 МГц, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 10 мкА @ 650 В, корпус TO-247-2
359 шт - 4-6 недель
от 859 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 129
GT2K6P15D5
Goford Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1400 пФ @ 75 В, ток стока (Id) @ 25°C 11 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В
1003 шт - 4-6 недель
от 1597 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 240