GT2K6P15D5 от 1444 ₽, Дискретные полупроводники, MOSFET P-CH -150V 11A 8-PWRTDFN, Goford Semiconductor

GT2K6P15D5 характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (4.9x5.75)
Рассеивание мощности (Макс)	58W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150 V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-DFN (4.9x5.75)
Рассеивание мощности (Макс)	58W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150 V
Ток стока (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260mOhm @ 5A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V
Grade	-
Qualification	-