GT2K2P15K от 1564 ₽, Дискретные полупроводники, Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1200 пФ @ -75 В, ток стока (Id) @ 25°C 13 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В, Goford Semiconductor

GT2K2P15K характеристики	Выбрать все
Упаковка	Лента на катушке (TR)
Вид монтажа	Поверхностный монтаж (SMD)
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (полевой с изолированным затвором)
Рабочая температура	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Исполнение корпуса	DPAK
Рассеивание мощности (Макс)	65W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	150 V
Ток стока (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора Qg, макс. при Vgs	27 nC @ -10 V
Входная ёмкость Ciss, макс. при Vds	1200 pF @ -75 V
Напряжение затвор-исток Vgs, макс.	±20V

Бесплатно доставим GT2K2P15K в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Дискретные полупроводники GT2K2P15K Goford Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить GT2K2P15K с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

APTGX450A170T6LIAG

Microchip Technology

Дискретный полупроводник: входная ёмкость (Cies) @ Vce 45600 пФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор эмиттер 1700 В, корпус модуль, вход стандартный

5 шт - 4-6 недель

от 65048 ₽

Кэшбэк + 9757

G040P02K

Goford Semiconductor

Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 9245 пФ @ 10 В, ток стока (Id) @ 25°C 90 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 20 В

749 шт - 4-6 недель

от 1568 ₽

Кэшбэк + 235

GSFD10110

Good-Ark Semiconductor

Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 446 пФ @ 50 В, ток стока (Id) @ 25°C 15 А (Ta), напряжение сток исток ( (Vdss) 100 В

2929 шт - 4-6 недель

от 1451 ₽

Кэшбэк + 218

GT2K6P15K

Goford Semiconductor

Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1400 пФ @ 75 В, ток стока (Id) @ 25°C 11 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В

98 шт - 4-6 недель

от 1568 ₽

Кэшбэк + 235

GT2K0P20K

Goford Semiconductor

Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 3400 пФ @ -100 В, ток стока (Id) @ 25°C 18 А, напряжение сток исток ( (Vdss) 200 В

2373 шт - 4-6 недель

от 1699 ₽

Кэшбэк + 255

GT2K2P15K

Goford Semiconductor

Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1200 пФ @ -75 В, ток стока (Id) @ 25°C 13 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В

1280 шт - 4-6 недель

от 1564 ₽

Кэшбэк + 235

MUR400A40CT

DACO Semiconductor

Дискретный полупроводник: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1,3 В @ 200 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 25 мкА @ 400 В, корпус TO-244AB

20 шт - 4-6 недель

от 25328 ₽

Кэшбэк + 3799

MUR400A40CTR

DACO Semiconductor

20 шт - 4-6 недель

от 25328 ₽

Кэшбэк + 3799

MUR420G

onsemi

Дискретный полупроводник: ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 5 мкА @ 200 В, прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 890 мВ @ 4 А

907 шт - 4-6 недель

от 180 ₽

Кэшбэк + 27

MUR400A60CT

DACO Semiconductor

Дискретный полупроводник: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1,45 В @ 200 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 25 мкА @ 600 В, корпус TO-244AB

20 шт - 4-6 недель

от 28595 ₽

Кэшбэк + 4289

MUR4065B-BP

MCC (Micro Commercial Components)

Дискретный полупроводник: ёмкость @ Vr, F 195 пФ @ 4 В, 1 МГц, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 10 мкА @ 650 В, корпус TO-247-2

359 шт - 4-6 недель

от 859 ₽

Кэшбэк + 129

GT2K6P15D5

Goford Semiconductor

1003 шт - 4-6 недель

от 1597 ₽

Кэшбэк + 240

Смотреть все

GT2K2P15K

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

GT2K2P15K характеристики

GT2K2P15K

Бесплатно доставим GT2K2P15K в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Дополнительные варианты

Похожие товары