TP65H030G4PWS от 1941 ₽, Дискретные полупроводники, GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3, Transphorm

TP65H030G4PWS характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-3
Рассеивание мощности (Макс)	192W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650 V
Ток стока (Id) @ 25°C	55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 12V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Vgs (Max)	±20V
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-3
Рассеивание мощности (Макс)	192W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	650 V
Ток стока (Id) @ 25°C	55.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 12V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Vgs (Max)	±20V
Grade	-
Qualification	-