RM30N100LD от 111 ₽, Дискретные полупроводники, MOSFET N-CH 100V 30A TO252-2, Rectron USA

RM30N100LD характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252-2
Рассеивание мощности (Макс)	85W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100 V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252-2
Рассеивание мощности (Макс)	85W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100 V
Ток стока (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±20V