Каталог товаров
Назад

MBR20100CT

  • Описание
    Дискретный полупроводник: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 950 мВ @ 20 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 100 мкА @ 100 В, корпус TO-220-3
166
цена с НДС
  • 1 шт
    166 ₽
  • 100 шт
    93 ₽
  • 500 шт
    88 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 166
При покупке кэшбэк 24 балла
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.
  • Производитель
    DIOTEC SEMICONDUCTOR

MBR20100CT характеристики

Упаковка Пенал
Вид монтажа В отверстия (THT)
Корпус TO-220-3
Технология Schottky
Исполнение корпуса TO-220AB
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 950 mV @ 20 A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 100 µA @ 100 V
Конфигурация диода 1 пара с общим катодом
Максимальное обратное напряжение (Vr) 100 V
Среднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) 20A
Скорость Быстрое восстановление ≤ 500 нс, > 200 мА (Io)
Рабочая температура pn-прехода -55 °C ~ 150 °C
Класс точности -
Квалификация -

MBR20100CT

  • Описание
    Дискретный полупроводник: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 950 мВ @ 20 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 100 мкА @ 100 В, корпус TO-220-3
MBR20100CT
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    DIOTEC SEMICONDUCTOR

Бесплатно доставим MBR20100CT в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Дискретные полупроводники MBR20100CT Taiwan Semiconductor Corporation доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить MBR20100CT с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Недавно просмотренные


Сопутствующие товары
1622 шт - 4-6 недель
от 705 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 106
ON Semiconductor
Диоды — выпрямители — наборы и массивы: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 740 мВ @ 8 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 100 мкА @ 100 В
752 шт - 4-6 недель
от 264 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 40

Похожие товары
APTGX450A170T6LIAG
Microchip Technology
Дискретный полупроводник: входная ёмкость (Cies) @ Vce 45600 пФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор эмиттер 1700 В, корпус модуль, вход стандартный
5 шт - 4-6 недель
от 65048 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 9757
G040P02K
Goford Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 9245 пФ @ 10 В, ток стока (Id) @ 25°C 90 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 20 В
749 шт - 4-6 недель
от 1568 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 235
Good-Ark Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 446 пФ @ 50 В, ток стока (Id) @ 25°C 15 А (Ta), напряжение сток исток ( (Vdss) 100 В
2929 шт - 4-6 недель
от 1451 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 218
GT2K6P15K
Goford Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1400 пФ @ 75 В, ток стока (Id) @ 25°C 11 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В
98 шт - 4-6 недель
от 1568 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 235
Goford Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 3400 пФ @ -100 В, ток стока (Id) @ 25°C 18 А, напряжение сток исток ( (Vdss) 200 В
2373 шт - 4-6 недель
от 1699 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 255
GT2K2P15K
Goford Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1200 пФ @ -75 В, ток стока (Id) @ 25°C 13 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В
1280 шт - 4-6 недель
от 1564 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 235
DACO Semiconductor
Дискретный полупроводник: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1,3 В @ 200 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 25 мкА @ 400 В, корпус TO-244AB
20 шт - 4-6 недель
от 25328 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 3799
MUR400A40CTR
DACO Semiconductor
Дискретный полупроводник: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1,3 В @ 200 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 25 мкА @ 400 В, корпус TO-244AB
20 шт - 4-6 недель
от 25328 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 3799
MUR420G
onsemi
Дискретный полупроводник: ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 5 мкА @ 200 В, прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 890 мВ @ 4 А
907 шт - 4-6 недель
от 180 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 27
DACO Semiconductor
Дискретный полупроводник: прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1,45 В @ 200 А, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 25 мкА @ 600 В, корпус TO-244AB
20 шт - 4-6 недель
от 28595 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 4289
MUR4065B-BP
MCC (Micro Commercial Components)
Дискретный полупроводник: ёмкость @ Vr, F 195 пФ @ 4 В, 1 МГц, ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 10 мкА @ 650 В, корпус TO-247-2
359 шт - 4-6 недель
от 859 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 129
GT2K6P15D5
Goford Semiconductor
Дискретный полупроводник: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 1400 пФ @ 75 В, ток стока (Id) @ 25°C 11 А (Tc), напряжение сток исток ( (Vdss) 150 В
1003 шт - 4-6 недель
от 1597 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 240