JANSH2N7675UFBC от 97300 ₽, Дискретные полупроводники, QPL SERIES 7 GAN FET HEMT 40V 50, EPC Space, LLC

JANSH2N7675UFBC характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tray
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-SMD, No Lead
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C
Исполнение корпуса	4-SMD
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40 V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 50A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Grade	Military
Qualification	MIL-PRF-19500

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tray
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	4-SMD, No Lead
Технология	GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C
Исполнение корпуса	4-SMD
Рассеивание мощности (Макс)	-
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40 V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 50A, 5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (Max)	+6V, -4V
Grade	Military
Qualification	MIL-PRF-19500