IRF6795MTRPBF Дискретные полупроводники, IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW, International Rectifier

IRF6795MTRPBF характеристики	Выбрать все
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric MX
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ MX
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 75W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25 V
Ток стока (Id) @ 25°C	32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 32A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4280 pF @ 13 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric MX
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ MX
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 75W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25 V
Ток стока (Id) @ 25°C	32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 32A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4280 pF @ 13 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Grade	-
Qualification	-