Каталог товаров
Назад

GCMX3P5B120S3B1-N

  • Описание
    GEN3 1200V 3.6M SIC 62MM HALF BR
27 266
цена с НДС
  • 1 шт
    27 266 ₽
  • 15 шт
    22 679 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 27 266
При покупке кэшбэк 4 089 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

GCMX3P5B120S3B1-N характеристики

Упаковка Box
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Технология Silicon Carbide (SiC)
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 1250W (Tc)
Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Исполнение корпуса -
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C 428A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 200A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1070nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26900pF @ 800V
Grade -
Qualification -
  • Производитель
    SemiQ

Характеристики

Упаковка Box
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Технология Silicon Carbide (SiC)
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности 1250W (Tc)
Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Исполнение корпуса -
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C 428A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 200A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1070nC @ 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26900pF @ 800V
Grade -
Qualification -

GCMX3P5B120S3B1-N

  • Описание
    GEN3 1200V 3.6M SIC 62MM HALF BR
  • Производитель
    SemiQ

Бесплатно доставим GCMX3P5B120S3B1-N в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Дискретные полупроводники GCMX3P5B120S3B1-N SemiQ доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить GCMX3P5B120S3B1-N с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
APTGX450A170T6LIAG
Microchip Technology
IGBT MODULE 1700V 805A 2.631KW
5 шт - 4-6 недель
от 58833 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 8825
G040P02K
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH -20V 90A TO-252-3
759 шт - 4-6 недель
от 1418 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 213
GSFD10110
Good-Ark Semiconductor
MOSFET, N-CH, SINGLE, 15.00A, 10
2929 шт - 4-6 недель
от 1312 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 197
GT2K6P15K
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 11A TO-252-3
98 шт - 4-6 недель
от 1418 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 213
GT2K0P20K
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH -200V 18A TO-252
2398 шт - 4-6 недель
от 1537 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 231
GT2K2P15K
Goford Semiconductor
MOSFET,P-CH,-150V,-13A,65W,DPAK
780 шт - 4-6 недель
от 1401 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 210
MUR400A40CT
DACO Semiconductor
DIODE MODULE GEN PURP 400V 200A
20 шт - 4-6 недель
от 22908 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 3436
MUR400A40CTR
DACO Semiconductor
DIODE MODULE GEN PURP 400V 200A
20 шт - 4-6 недель
от 22908 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 3436
MUR420G
onsemi
DIODE STANDARD 200V 4A AXIAL
7982 шт - 4-6 недель
от 161 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 24
MUR400A60CT
DACO Semiconductor
DIODE MODULE GEN PURP 600V 200A
20 шт - 4-6 недель
от 25863 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 3879
MUR4065B-BP
MCC (Micro Commercial Components)
RECTIFIER,TO-247AD
359 шт - 4-6 недель
от 777 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 117
GT2K6P15D5
Goford Semiconductor
MOSFET P-CH -150V 11A 8-PWRTDFN
1003 шт - 4-6 недель
от 1444 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 217