GCMX080C120S1-E1 от 4583 ₽, Дискретные полупроводники, GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE, SemiQ

GCMX080C120S1-E1 характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227
Рассеивание мощности (Макс)	118W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200 V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1328 pF @ 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Vgs (Max)	+22V, -8V
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227
Рассеивание мощности (Макс)	118W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200 V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1328 pF @ 1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Vgs (Max)	+22V, -8V
Grade	-
Qualification	-