FP1214RS27DC1 от 27909 ₽, Дискретные полупроводники, SICFET N-CH 1200V 87.5A SOT-227, FastSiC

FP1214RS27DC1 характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B - miniBLOC
Рассеивание мощности (Макс)	208W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200 V
Ток стока (Id) @ 25°C	87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 60A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	350 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9000 pF @ 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (Max)	+18V, -8V

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-227B - miniBLOC
Рассеивание мощности (Макс)	208W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200 V
Ток стока (Id) @ 25°C	87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 60A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 100mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	350 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9000 pF @ 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Vgs (Max)	+18V, -8V