FF12013M2Q от 8472 ₽, Дискретные полупроводники, SICFET N-CH 1200V 127A TO-247-4L, FastSiC

FF12013M2Q характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-4
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-4L
Рассеивание мощности (Макс)	500W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200 V
Ток стока (Id) @ 25°C	127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 60A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 100mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	347 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12710 pF @ 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V, 15V
Vgs (Max)	+15V, -8V
Qualification	AEC-Q101

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-4
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-4L
Рассеивание мощности (Макс)	500W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200 V
Ток стока (Id) @ 25°C	127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 60A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 100mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	347 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12710 pF @ 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V, 15V
Vgs (Max)	+15V, -8V
Qualification	AEC-Q101