FF07075FA от 2061 ₽, Дискретные полупроводники, SICFET N-CH 750V 36A TOLL, FastSiC

FF07075FA характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSFN
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TOLL
Рассеивание мощности (Макс)	214W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	750 V
Ток стока (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 10A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1564 pF @ 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Vgs (Max)	+18V, -8V
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerSFN
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TOLL
Рассеивание мощности (Макс)	214W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	750 V
Ток стока (Id) @ 25°C	36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 10A, 18V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1564 pF @ 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Vgs (Max)	+18V, -8V
Grade	-
Qualification	-