DMG3415U от 15.6 ₽, Дискретные полупроводники, 4A20V50m@4.5VSOT-23, Goodwork

DMG3415U характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20 V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.073Ohm @ 2A, 1.8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	8V
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C
Исполнение корпуса	SOT-23
Рассеивание мощности (Макс)	1.2W
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20 V
Ток стока (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.073Ohm @ 2A, 1.8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	8V
Grade	-
Qualification	-