DMG1012T от 7.5 ₽, Дискретные полупроводники, 20V 800mA 200m@4.5V SOT-523, Goodwork

DMG1012T характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-523
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C
Исполнение корпуса	SOT-523
Рассеивание мощности (Макс)	312mW
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20 V
Ток стока (Id) @ 25°C	800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550mOhm @ 200mA, 1.8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	38.2 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	10V
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-523
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C
Исполнение корпуса	SOT-523
Рассеивание мощности (Макс)	312mW
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20 V
Ток стока (Id) @ 25°C	800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550mOhm @ 200mA, 1.8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	38.2 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	10V
Grade	-
Qualification	-