AMD560C от 64 ₽, Дискретные полупроводники, MOSFET N/P-CH 60V 35A TO252-4, Analog Power Inc.

AMD560C характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	50W (Tc)
Конфигурация	N and P-Channel
Исполнение корпуса	TO-252-4
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	35A (Tc), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 20A, 10V, 85mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1422pF @ 15V, 1143pF @ 15V
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	50W (Tc)
Конфигурация	N and P-Channel
Исполнение корпуса	TO-252-4
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	35A (Tc), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 20A, 10V, 85mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1422pF @ 15V, 1143pF @ 15V
Grade	-
Qualification	-