AM40N04-30D от 178 ₽, Дискретные полупроводники, MOSFET N-CH 40V 33A TO-252, Analog Power Inc.

AM40N04-30D характеристики	Выбрать все
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252
Рассеивание мощности (Макс)	50W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40 V
Ток стока (Id) @ 25°C	33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32mOhm @ 33A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3 nC @ 5.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	186 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Grade	-
Qualification	-

Характеристики	Выбрать все
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252
Рассеивание мощности (Макс)	50W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40 V
Ток стока (Id) @ 25°C	33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32mOhm @ 33A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3 nC @ 5.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	186 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V
Grade	-
Qualification	-