Каталог товаров
Назад

MMBFJ309LT1G

  • Описание
    Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
36
цена с НДС
  • 1 шт
    36 ₽
  • 10 шт
    21.8 ₽
  • 100 шт
    17.2 ₽
  • 500 шт
    16.2 ₽
  • 1000 шт
    15.4 ₽
  • 3000 шт
    14.5 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 36
При покупке кэшбэк 5 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

MMBFJ309LT1G характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Нормальное напряжение 25V
Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Частота -
Токовая нагрузка 30mA
Исполнение корпуса SOT-23-3 (TO-236)
Base Part Number MMBFJ309
Мощность передачи -
Тип транзистора N-Channel JFET
Усиление -
Уровень шума -
  • Производитель
    onsemi

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Нормальное напряжение 25V
Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Частота -
Токовая нагрузка 30mA
Исполнение корпуса SOT-23-3 (TO-236)
Base Part Number MMBFJ309
Мощность передачи -
Тип транзистора N-Channel JFET
Усиление -
Уровень шума -

MMBFJ309LT1G

  • Описание
    Транзистор: N-JFET; полевой; 25В; 30мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    onsemi

Бесплатно доставим MMBFJ309LT1G в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — радиочастотные MMBFJ309LT1G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить MMBFJ309LT1G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Плата: универсальная; переходная; W: 22,8мм; L: 46,72мм
Контейнер: подставка для SMD катушек

Похожие товары
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
19 шт - 4-6 недель
от 12614 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7568
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
259 шт - 4-6 недель
от 56534 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 169602
BLA6G1011L-200RG,1
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
20 шт - 4-6 недель
от 39798 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 11939
BLA6G1011LS-200RG,
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C
19 шт - 4-6 недель
от 54575 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 8186
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
100 шт - 4-6 недель
от 133354 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 400062
BLA6H0912L-1000U
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
73 шт - 4-6 недель
от 144038 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 21606
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
390 шт - 4-6 недель
от 183490 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 550470
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
8 шт - 4-6 недель
от 84011 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 12602
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
392 шт - 4-6 недель
от 75768 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 227304
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
47 шт - 4-6 недель
от 75768 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 227304
Ampleon USA Inc.
RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A
22 шт - 4-6 недель
от 111699 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 335097
Ampleon USA Inc.
RF MOSFET LDMOS 50V SOT502B
10 шт - 4-6 недель
от 87683 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 13152