Каталог товаров
Назад

GSID200A120S5C1

  • Описание
    IGBT MODULE 1200V 335A


GSID200A120S5C1 характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация Three Phase Inverter
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 335A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 1mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 22.4nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация Three Phase Inverter
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 335A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 1mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 22.4nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

GSID200A120S5C1

  • Описание
    IGBT MODULE 1200V 335A
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка GSID200A120S5C1 по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули GSID200A120S5C1 Global Power Technologies Group доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить GSID200A120S5C1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
12 шт.
21 шт.
от 34 719 ₽
+ 5208
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт.
1 шт.
от 5 168 153 ₽
+ 775223
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
10 шт.
4 шт.
от 25 344 ₽
+ 3802
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
200 шт.
от 43 317 ₽
+ 12995
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
110 шт.
от 53 801 ₽
+ 16140