Каталог товаров
Назад

GSID150A120S6A4

  • Описание
    SILICON IGBT MODULES


GSID150A120S6A4 характеристики

Серия Amp+™
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C
Рассеивание мощности 1035W
Конфигурация Single
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 275A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 1mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A
Входная емкость (Cies) @ Vce 20.2nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

Характеристики

Серия Amp+™
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C
Рассеивание мощности 1035W
Конфигурация Single
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 275A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 1mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A
Входная емкость (Cies) @ Vce 20.2nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

GSID150A120S6A4

  • Описание
    SILICON IGBT MODULES
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка GSID150A120S6A4 по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули GSID150A120S6A4 Global Power Technologies Group доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить GSID150A120S6A4 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
12 шт.
21 шт.
от 33 495 ₽
+ 5024
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт.
1 шт.
от 4 832 498 ₽
+ 724875
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
10 шт.
4 шт.
от 23 698 ₽
+ 3555
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
200 шт.
от 40 504 ₽
+ 12151
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
110 шт.
от 50 306 ₽
+ 15092