Каталог товаров
Назад

FF200R12KE3HOSA1

  • Описание
    Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
25 588
цена с НДС
  • 1 шт
    25 588 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 25 588
При покупке кэшбэк 3 838 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

FF200R12KE3HOSA1 характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 125°C
Рассеивание мощности 1050W
Конфигурация 2 Independent
Исполнение корпуса Module
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes
  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 125°C
Рассеивание мощности 1050W
Конфигурация 2 Independent
Исполнение корпуса Module
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

FF200R12KE3HOSA1

  • Описание
    Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    INFINEON TECHNOLOGIES

Бесплатно доставим FF200R12KE3HOSA1 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FF200R12KE3HOSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
44 шт - 4-6 недель
от 34199 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5130

Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
24 шт - 4-6 недель
от 38905 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5836
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
409 шт - 4-6 недель
от 38558 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5784
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
4 шт - в наличии
745 шт - 4-6 недель
от 19686 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 2953
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
4 шт - 4-6 недель
от 72407 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 10861
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
2256 шт - 4-6 недель
от 11099 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 8324
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
89 шт - 4-6 недель
от 12840 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7704
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
265 шт - 4-6 недель
от 36482 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5472
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
53 шт - 4-6 недель
от 29776 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 8933
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
23 шт - 4-6 недель
от 43921 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 6588
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
8 шт - 4-6 недель
от 14205 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 8523
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
6 шт - 4-6 недель
от 25114 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7534
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
9 шт - 4-6 недель
от 13102 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7861