Каталог товаров
Назад

FF200R12KE3HOSA1

  • Описание
    Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
19 662
цена с НДС
  • 1 шт
    19 662 ₽
  • 10 шт
    16 786 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 19 662
При покупке кэшбэк 2 949 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

FF200R12KE3HOSA1 характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 125°C
Рассеивание мощности 1050W
Конфигурация 2 Independent
Исполнение корпуса Module
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes
  • Производитель
    Infineon Technologies

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 125°C
Рассеивание мощности 1050W
Конфигурация 2 Independent
Исполнение корпуса Module
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

FF200R12KE3HOSA1

  • Описание
    Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Infineon Technologies

Бесплатно доставим FF200R12KE3HOSA1 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули FF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FF200R12KE3HOSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
56 шт - 4-6 недель
от 33574 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5036

Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
47 шт - 4-6 недель
от 36468 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5470
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
409 шт - 4-6 недель
от 37561 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5634
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
4 шт - в наличии
745 шт - 4-6 недель
от 19178 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 2877
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
4 шт - 4-6 недель
от 70535 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 10580
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
2256 шт - 4-6 недель
от 10812 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 8109
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5
89 шт - 4-6 недель
от 12508 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7505
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
265 шт - 4-6 недель
от 35538 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5331
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
53 шт - 4-6 недель
от 29006 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 8702
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
23 шт - 4-6 недель
от 42785 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 6418
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
8 шт - 4-6 недель
от 13837 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 8302
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
6 шт - 4-6 недель
от 24465 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7340
Infineon Technologies
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
9 шт - 4-6 недель
от 12764 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 7658