IXXN110N65C4H1

Описание

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

4 474 ₽

цена с НДС

837 шт
4-6 недель

1 шт

4 474 ₽
10 шт

3 795 ₽
100 шт

3 567 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 4 474 ₽
При покупке кэшбэк 671 балл

Добавить в корзину

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

IXXN110N65C4H1 характеристики	Выбрать все
Серия	GenX4™, XPT™
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	750W
Конфигурация	Single
Исполнение корпуса	SOT-227B
Base Part Number	110N65
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	210A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	650V
Обратный ток коллектора (Max)	50µA
Тип IGBT	PT
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 110A
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.69nF @ 25V
Вход	Standard
NTC термистр	No

Производитель

IXYS

Документация

Datasheetpdf, 3,57 KB

Характеристики	Выбрать все
Серия	GenX4™, XPT™
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеивание мощности	750W
Конфигурация	Single
Исполнение корпуса	SOT-227B
Base Part Number	110N65
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	210A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	650V
Обратный ток коллектора (Max)	50µA
Тип IGBT	PT
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 110A
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.69nF @ 25V
Вход	Standard
NTC термистр	No

IXXN110N65C4H1

Описание

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

IXYS

Документация

Datasheetpdf, 3,57 KB

Бесплатно доставим IXXN110N65C4H1 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули IXXN110N65C4H1 IXYS доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IXXN110N65C4H1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Похожие товары

2ED300C17SROHSBPSA1

Infineon Technologies

Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV

24 шт - 4-6 недель

от 37907 ₽

Кэшбэк + 5686

BSM100GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

409 шт - 4-6 недель

от 36938 ₽

Кэшбэк + 5541

BSM100GB120DN2KHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

4 шт - в наличии

745 шт - 4-6 недель

от 18859 ₽

Кэшбэк + 2829

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

2256 шт - 4-6 недель

от 10633 ₽

Кэшбэк + 7975

Infineon Technologies

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

89 шт - 4-6 недель

от 12300 ₽

Кэшбэк + 7380

DDB6U30N08VRBOMA1

Infineon Technologies

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

1 шт - 4-6 недель

от 49037 ₽

Кэшбэк + 7356

DDB6U75N16W1RBOMA1

Infineon Technologies

Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А

12 шт - 4-6 недель

от 5528 ₽

Кэшбэк + 829

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Infineon Technologies

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2

30 шт - 4-6 недель

от 5991 ₽

Кэшбэк + 899

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

Infineon Technologies

LOW POWER EASY

30 шт - 4-6 недель

от 5991 ₽

Кэшбэк + 899

DF120R12W2H3B27BOMA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 800V 50A

713 шт - 4-6 недель

от 7000 ₽

Кэшбэк + 1050

F1225R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE VCES 1200V 25A

7 шт - 4-6 недель

от 15865 ₽

Кэшбэк + 2380

F3L150R07W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE VCES 600V 150A

6 шт - 4-6 недель

от 14683 ₽

Кэшбэк + 2202

Смотреть все

Выберите ваш город