F4150R12KS4BOSA1

Описание

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 150А

31 405 ₽

цена с НДС

2 шт

В наличии

9 шт
4-6 недель

1 шт

31 405 ₽
3 шт

28 188 ₽
10 шт

26 297 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 31 405 ₽
При покупке кэшбэк 4 710 баллов

Добавить в корзину

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

F4150R12KS4BOSA1 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	Module
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Рассеивание мощности	960W
Конфигурация	Three Phase Inverter
Исполнение корпуса	Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	180A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1200V
Обратный ток коллектора (Max)	5mA
Тип IGBT	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3.75V @ 15V, 150A
Входная емкость (Cies) @ Vce	10nF @ 25V
Вход	Standard
NTC термистр	Yes

Производитель

INFINEON TECHNOLOGIES

Документация

Datasheetpdf, 7,99 KB

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	Module
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Рассеивание мощности	960W
Конфигурация	Three Phase Inverter
Исполнение корпуса	Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	180A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1200V
Обратный ток коллектора (Max)	5mA
Тип IGBT	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3.75V @ 15V, 150A
Входная емкость (Cies) @ Vce	10nF @ 25V
Вход	Standard
NTC термистр	Yes

F4150R12KS4BOSA1

Описание

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 150А

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

INFINEON TECHNOLOGIES

Документация

Datasheetpdf, 7,99 KB

Бесплатно доставим F4150R12KS4BOSA1 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули F4150R12KS4BOSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить F4150R12KS4BOSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Похожие товары

2ED300C17SROHSBPSA1

Infineon Technologies

Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV

24 шт - 4-6 недель

от 37907 ₽

Кэшбэк + 5686

BSM100GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

409 шт - 4-6 недель

от 36938 ₽

Кэшбэк + 5541

BSM100GB120DN2KHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

4 шт - в наличии

745 шт - 4-6 недель

от 18859 ₽

Кэшбэк + 2829

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

2256 шт - 4-6 недель

от 10633 ₽

Кэшбэк + 7975

Infineon Technologies

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

89 шт - 4-6 недель

от 12300 ₽

Кэшбэк + 7380

DDB6U30N08VRBOMA1

Infineon Technologies

DIODE MOD CHOPPER-IGBT 1600V 60A

1 шт - 4-6 недель

от 49037 ₽

Кэшбэк + 7356

DDB6U75N16W1RBOMA1

Infineon Technologies

Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ; Ic: 50А

12 шт - 4-6 недель

от 5528 ₽

Кэшбэк + 829

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Infineon Technologies

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2

30 шт - 4-6 недель

от 5991 ₽

Кэшбэк + 899

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

Infineon Technologies

LOW POWER EASY

30 шт - 4-6 недель

от 5991 ₽

Кэшбэк + 899

DF120R12W2H3B27BOMA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 800V 50A

713 шт - 4-6 недель

от 7000 ₽

Кэшбэк + 1050

F1225R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE VCES 1200V 25A

7 шт - 4-6 недель

от 15865 ₽

Кэшбэк + 2380

F3L150R07W2E3B11BOMA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE VCES 600V 150A

6 шт - 4-6 недель

от 14683 ₽

Кэшбэк + 2202

Смотреть все

Выберите ваш город