Каталог товаров
Назад

MRF7P20040HSR3

  • Описание
    FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4


MRF7P20040HSR3 характеристики

Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Нормальное напряжение 65V
Корпус NI-780S-4
Частота 2.03GHz
Токовая нагрузка -
Исполнение корпуса NI-780S-4
Base Part Number MRF7P20040
Мощность передачи 10W
Тип транзистора LDMOS (Dual)
Усиление 18.2dB
Тестовое напряжение 32V
Уровень шума -
Тестовый ток 150mA

Характеристики

Серия -
Part Status Obsolete
Упаковка Tape & Reel (TR)
Нормальное напряжение 65V
Корпус NI-780S-4
Частота 2.03GHz
Токовая нагрузка -
Исполнение корпуса NI-780S-4
Base Part Number MRF7P20040
Мощность передачи 10W
Тип транзистора LDMOS (Dual)
Усиление 18.2dB
Тестовое напряжение 32V
Уровень шума -
Тестовый ток 150mA

MRF7P20040HSR3

  • Описание
    FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4
MRF7P20040HSR3
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка MRF7P20040HSR3 по России

Транзисторы — полевые — радиочастотные MRF7P20040HSR3 NXP USA Inc. доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить MRF7P20040HSR3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
20 шт.
19 шт.
от 18 113 ₽
+ 10868
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
20 шт.
48 шт.
от 79 960 ₽
+ 11994
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
20 шт.
20 шт.
от 79 960 ₽
+ 11994
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
20 шт.
274 шт.
от 76 710 ₽
+ 57533
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
20 шт.
11 шт.
от 180 946 ₽
+ 135710