Каталог товаров
Назад

MMRF1023HSR5

  • Описание
    FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L


MMRF1023HSR5 характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Нормальное напряжение 65V
Корпус NI-1230-4LS2L
Частота 2.3GHz
Токовая нагрузка -
Исполнение корпуса NI-1230-4LS2L
Мощность передачи 66W
Тип транзистора LDMOS
Усиление 14.9dB
Тестовое напряжение 28V
Уровень шума -
Тестовый ток 750mA

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Tape & Reel (TR)
Нормальное напряжение 65V
Корпус NI-1230-4LS2L
Частота 2.3GHz
Токовая нагрузка -
Исполнение корпуса NI-1230-4LS2L
Мощность передачи 66W
Тип транзистора LDMOS
Усиление 14.9dB
Тестовое напряжение 28V
Уровень шума -
Тестовый ток 750mA

MMRF1023HSR5

  • Описание
    FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка MMRF1023HSR5 по России

Транзисторы — полевые — радиочастотные MMRF1023HSR5 NXP USA Inc. доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить MMRF1023HSR5 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
20 шт.
19 шт.
от 17 676 ₽
+ 10606
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
20 шт.
48 шт.
от 78 031 ₽
+ 11705
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
20 шт.
20 шт.
от 78 031 ₽
+ 11705
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
20 шт.
274 шт.
от 74 860 ₽
+ 56145
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
20 шт.
11 шт.
от 176 581 ₽
+ 132436