Каталог товаров
Назад

MMRF1009HR5

  • Описание
    FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S


MMRF1009HR5 характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Нормальное напряжение 110V
Корпус SOT-957A
Частота 1.03GHz
Токовая нагрузка -
Исполнение корпуса NI-780H-2L
Мощность передачи 500W
Тип транзистора LDMOS
Усиление 19.7dB
Тестовое напряжение 50V
Уровень шума -
Тестовый ток 200mA

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Нормальное напряжение 110V
Корпус SOT-957A
Частота 1.03GHz
Токовая нагрузка -
Исполнение корпуса NI-780H-2L
Мощность передачи 500W
Тип транзистора LDMOS
Усиление 19.7dB
Тестовое напряжение 50V
Уровень шума -
Тестовый ток 200mA

MMRF1009HR5

  • Описание
    FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка MMRF1009HR5 по России

Транзисторы — полевые — радиочастотные MMRF1009HR5 NXP USA Inc. доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить MMRF1009HR5 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
20 шт.
19 шт.
от 16 594 ₽
+ 9956
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
20 шт.
48 шт.
от 73 256 ₽
+ 10988
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
20 шт.
20 шт.
от 73 256 ₽
+ 10988
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
20 шт.
274 шт.
от 70 278 ₽
+ 52709
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
20 шт.
11 шт.
от 165 774 ₽
+ 124331