APT75GP120JDQ3

Описание

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B

7 291 ₽

цена с НДС

2077 шт
4-6 недель

1 шт

7 291 ₽
10 шт

6 886 ₽
25 шт

6 818 ₽
100 шт

5 917 ₽

Добавить в корзину 1 шт на сумму 7 291 ₽
При покупке кэшбэк 1 093 балла

Добавить в корзину

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

APT75GP120JDQ3 характеристики	Выбрать все
Серия	POWER MOS 7®
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	543W
Конфигурация	Single
Исполнение корпуса	ISOTOP®
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	128A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1200V
Обратный ток коллектора (Max)	1.25mA
Тип IGBT	PT
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 75A
Входная емкость (Cies) @ Vce	7.04nF @ 25V
Вход	Standard
NTC термистр	No

Производитель

Microchip Technology

Документация

Datasheetpdf, 5,88 KB

Характеристики	Выбрать все
Серия	POWER MOS 7®
Part Status	Active
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	ISOTOP
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	543W
Конфигурация	Single
Исполнение корпуса	ISOTOP®
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	128A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	1200V
Обратный ток коллектора (Max)	1.25mA
Тип IGBT	PT
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 75A
Входная емкость (Cies) @ Vce	7.04nF @ 25V
Вход	Standard
NTC термистр	No

APT75GP120JDQ3

Описание

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

Microchip Technology

Документация

Datasheetpdf, 5,88 KB

Бесплатно доставим APT75GP120JDQ3 в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули APT75GP120JDQ3 Microsemi Corporation доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить APT75GP120JDQ3 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Похожие товары

2ED300C17SROHSBPSA1

Infineon Technologies

Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV

22 шт - 4-6 недель

от 36257 ₽

Кэшбэк + 5439

6MS24017P43W41646NOSA1

Infineon Technologies

MODULE IGBT STACK A-MS3-1

1 шт - 4-6 недель

от 3908107 ₽

Кэшбэк + 586216

BSM100GAL120DLCKHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

20 шт - 4-6 недель

от 15057 ₽

Кэшбэк + 6776

BSM100GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

409 шт - 4-6 недель

от 35749 ₽

Кэшбэк + 5362

BSM100GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

3464 шт - 4-6 недель

от 37469 ₽

Кэшбэк + 5620

BSM100GB120DN2KHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

4 шт - в наличии

732 шт - 4-6 недель

от 19710 ₽

Кэшбэк + 2957

BSM100GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

IGBT MODULE 600V 130A

1436 шт - 4-6 недель

от 11787 ₽

Кэшбэк + 7072

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

2244 шт - 4-6 недель

от 10291 ₽

Кэшбэк + 7718

Infineon Technologies

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

89 шт - 4-6 недель

от 11904 ₽

Кэшбэк + 7142

BSM150GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

435 шт - 4-6 недель

от 31019 ₽

Кэшбэк + 9306

BSM200GA120DLCSHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

265 шт - 4-6 недель

от 33824 ₽

Кэшбэк + 5074

BSM200GA170DLCHOSA1

Infineon Technologies

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

13 шт - 4-6 недель

от 27607 ₽

Кэшбэк + 8282

Смотреть все

Выберите ваш город