Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные

Для современных силовых биполярных транзисторов с изолированным затвором присущ ряд уникальных параметров и характеристик, среди которых можно выделить: высокое входное сопротивление, низкий уровень остаточного напряжения в открытом состоянии, малые потери при больших значениях тока и напряжения.

Допустимо применение полупроводниковых устройств при напряжении 10 кВ и коммутации токов до 1200А. Частотные преобразователи, созданные на базе IGBT в основном предназначены для электродов, бестрансформаторных конверторов и инверторов, сварочного оборудования регуляторов тока для мощных приводов.

Что касается показателей частоты, то ключи на транзисторах GBT, которым присущи частоты в 10-20кГц, на порядок лучше полупроводниковых приборов иного типа.

Особого внимания заслуживают одиночные IGBT модули, которым присуща повышенная устойчивость к энерготермоциклам.

Особенности одиночных IGBT модулей

Одиночные IGBT модули, которые предлагаются к приобретению на современном рынке данных товаров уникальны.

Уникальность их заключается не только в присущих функциональных возможностях, но и:

• возможности МОП управления;
• стабильности перед токами короткого замыкания;
• низкой внутренней индуктивности корпусов модулей;
• применяемым технологиям;
• присутствие DBS керамики во внутренней изоляции;
• несколько вариантов основания.

При этом, стоит обратить внимание на подбор некоторых параметров данного устройства. Так, например, показатели температуры должны выбираться с запасом, модулю должно быть присуще большее значение номинального тока, в ситуации превышения расчётного значения граничной величины.

Одиночные IGBT модули на практике применяются в инверторах, для индукционного нагрева, электросварочного оборудования, системах управления электродвигателями переменного тока и серводвигателями постоянного тока и роботами, иное.

Процесс управления такими модулями осуществляется посредством драйверов. Микросхемы производят управляющие импульсы, тем самым создают коммутацию ключей в необходимом частотном диапазоне. В результате согласовывается работа полупроводниковых устройств с БУ.

Выгодное приобретение

Чтобы выбранный покупателем одиночный IGBT модуль полностью справился с поставленными перед ним задачами, стоит со всей ответственностью подойти к процессу его подбора.

Современные производители предлагают самые различные решения не только в ценовом диапазоне, но и наполнении.

Учитывая это, в индивидуальном порядке необходимо подбирать такие основные параметры и характеристики устройства:

• серию, статус упаковку;
• корпус;
• присущий тип монтажа;
• тип входа;
• присущий тип монтажа;
• допустимый диапазон температур;
• показатель рассеивания мощности, максимального тока коллектора, напряжения;
• значение энергии переключения и заряда затвора;
• время задержки.

В каталоге нашей компании не составит труда подобрать идеально подходящее решение по всем этим критерием. Ведущие производители отрасли, чья продукция представлена в наших каталогах, гарантируют качество товара и предоставляют гарантию.