NGTB10N60R2DT4G

Описание

IGBT 10A 600V DPAK

63 ₽

цена с НДС

585000 шт
4-6 недель

2000 шт

63 ₽

Добавить в корзину 2000 шт на сумму 126 000 ₽
При покупке кэшбэк 18 900 баллов

Добавить в корзину

Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!

Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

NGTB10N60R2DT4G характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Тип входа	Standard
Рабочая температура	175°C (TJ)
Рассеивание мощности	72W
Исполнение корпуса	DPAK
Время восстановления запорного слоя (trr)	90ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	20A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	600V
Тип IGBT	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 10A
Коллекторный ток (Icm)	40A
Энергия переключения	412µJ (on), 140µJ (off)
Заряд затвора	53nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C	48ns/120ns
Условие испытаний	300V, 10A, 30 Ohm, 15V

Производитель

onsemi

Документация

Datasheetpdf, 5,14 KB

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Тип входа	Standard
Рабочая температура	175°C (TJ)
Рассеивание мощности	72W
Исполнение корпуса	DPAK
Время восстановления запорного слоя (trr)	90ns
Максимальный Ток Коллектора (Ic)	20A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	600V
Тип IGBT	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 10A
Коллекторный ток (Icm)	40A
Энергия переключения	412µJ (on), 140µJ (off)
Заряд затвора	53nC
Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C	48ns/120ns
Условие испытаний	300V, 10A, 30 Ohm, 15V

NGTB10N60R2DT4G

Описание

IGBT 10A 600V DPAK

* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию

Производитель

onsemi

Документация

Datasheetpdf, 5,14 KB

Бесплатно доставим NGTB10N60R2DT4G в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные NGTB10N60R2DT4G ON Semiconductor доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить NGTB10N60R2DT4G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.

Похожие товары

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

IGBT 650V 5A TO263

1 шт - в наличии

226 шт - 4-6 недель

от 370 ₽

Кэшбэк + 56

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж

3223 шт - 4-6 недель

от 321 ₽

Кэшбэк + 48

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,07мДж

2187 шт - 4-6 недель

от 315 ₽

Кэшбэк + 47

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвыкл: 0,049мДж

2420 шт - 4-6 недель

от 137 ₽

Кэшбэк + 21

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 20А; 170Вт; TO247; 1,05мДж

156 шт - 4-6 недель

от 971 ₽

Кэшбэк + 146

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 83Вт; TO247; Eвыкл: 0,18мДж

46 шт - 4-6 недель

от 505 ₽

Кэшбэк + 76

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO247; Eвыкл: 0,28мДж

70 шт - 4-6 недель

от 844 ₽

Кэшбэк + 127

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 170Вт; TO247; 1,28мДж

34 шт - 4-6 недель

от 818 ₽

Кэшбэк + 123

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 30А; 170Вт; TO247; 1,47мДж

199 шт - 4-6 недель

от 987 ₽

Кэшбэк + 148

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,41мДж

121 шт - 4-6 недель

от 979 ₽

Кэшбэк + 147

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 111Вт; TO247; Eвыкл: 0,3мДж

115 шт - 4-6 недель

от 813 ₽

Кэшбэк + 122

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 150Вт; TO247; Eвыкл: 0,46мДж

24 шт - 4-6 недель

от 913 ₽

Кэшбэк + 137

Смотреть все

Выберите ваш город