Каталог товаров
Назад

BF999E6327HTSA1

  • Описание
    MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23


BF999E6327HTSA1 характеристики

Серия -
Part Status Not For New Designs
Упаковка Tape & Reel (TR)
Нормальное напряжение 20V
Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Частота 45MHz
Токовая нагрузка 30mA
Исполнение корпуса PG-SOT23-3
Мощность передачи -
Тип транзистора N-Channel
Усиление 27dB
Тестовое напряжение 10V
Уровень шума 2.1dB
Тестовый ток 10mA

Характеристики

Серия -
Part Status Not For New Designs
Упаковка Tape & Reel (TR)
Нормальное напряжение 20V
Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Частота 45MHz
Токовая нагрузка 30mA
Исполнение корпуса PG-SOT23-3
Мощность передачи -
Тип транзистора N-Channel
Усиление 27dB
Тестовое напряжение 10V
Уровень шума 2.1dB
Тестовый ток 10mA

BF999E6327HTSA1

  • Описание
    MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию



Бесплатная доставка BF999E6327HTSA1 по России

Транзисторы — полевые — радиочастотные BF999E6327HTSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить BF999E6327HTSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
20 шт.
19 шт.
от 16 594 ₽
+ 9956
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
20 шт.
48 шт.
от 73 256 ₽
+ 10988
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
20 шт.
20 шт.
от 73 256 ₽
+ 10988
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
20 шт.
274 шт.
от 70 278 ₽
+ 52709
Ampleon USA Inc.
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
20 шт.
11 шт.
от 165 774 ₽
+ 124331