Каталог товаров
Назад

VS-GB300AH120N

  • Описание
    IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK


VS-GB300AH120N характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Double INT-A-PAK (5)
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2500W
Конфигурация Single
Исполнение корпуса Double INT-A-PAK
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 620A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 300A (Typ)
Входная емкость (Cies) @ Vce 21nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Double INT-A-PAK (5)
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 2500W
Конфигурация Single
Исполнение корпуса Double INT-A-PAK
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 620A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 5mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 300A (Typ)
Входная емкость (Cies) @ Vce 21nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

VS-GB300AH120N

  • Описание
    IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK

Бесплатная доставка VS-GB300AH120N по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули VS-GB300AH120N Vishay Semiconductor Diodes Division доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить VS-GB300AH120N с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
12 шт.
21 шт.
от 32 922 ₽
+ 4938
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт.
1 шт.
от 4 765 213 ₽
+ 714782
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
10 шт.
4 шт.
от 23 368 ₽
+ 3505
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
200 шт.
от 39 940 ₽
+ 11982
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
110 шт.
от 49 606 ₽
+ 14882