Каталог товаров
Назад

VS-GB100LP120N

  • Описание
    IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK


VS-GB100LP120N характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус INT-A-Pak
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 658W
Конфигурация Single
Исполнение корпуса INT-A-PAK
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 200A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 1mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Входная емкость (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус INT-A-Pak
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 658W
Конфигурация Single
Исполнение корпуса INT-A-PAK
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 200A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 1mA
Тип IGBT -
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Входная емкость (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

VS-GB100LP120N

  • Описание
    IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK

Бесплатная доставка VS-GB100LP120N по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули VS-GB100LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить VS-GB100LP120N с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
12 шт.
21 шт.
от 33 923 ₽
+ 5088
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт.
1 шт.
от 4 836 630 ₽
+ 725495
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
10 шт.
4 шт.
от 23 718 ₽
+ 3558
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
200 шт.
от 40 539 ₽
+ 12162
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
110 шт.
от 50 349 ₽
+ 15105