Каталог товаров
Назад

IFS75B12N3E4B31BOSA1

  • Описание
    MOD IGBT LOW PWR ECONO


IFS75B12N3E4B31BOSA1 характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C
Рассеивание мощности 385W
Конфигурация Full Bridge
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 150A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 1mA
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C
Рассеивание мощности 385W
Конфигурация Full Bridge
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 150A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 1mA
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

IFS75B12N3E4B31BOSA1

  • Описание
    MOD IGBT LOW PWR ECONO

Бесплатная доставка IFS75B12N3E4B31BOSA1 по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули IFS75B12N3E4B31BOSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить IFS75B12N3E4B31BOSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
12 шт.
21 шт.
от 32 491 ₽
+ 4874
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт.
1 шт.
от 4 729 909 ₽
+ 709486
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
10 шт.
4 шт.
от 23 195 ₽
+ 3479
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
200 шт.
от 39 644 ₽
+ 11893
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
110 шт.
от 49 238 ₽
+ 14771