Каталог товаров
Назад

FS75R07N2E4BOSA1

  • Описание
    MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6


FS75R07N2E4BOSA1 характеристики

Серия EconoPACK™2
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C
Рассеивание мощности 250W
Конфигурация Three Phase Inverter
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 75A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650V
Обратный ток коллектора (Max) 1mA
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.6nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

Характеристики

Серия EconoPACK™2
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C
Рассеивание мощности 250W
Конфигурация Three Phase Inverter
Исполнение корпуса Module
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 75A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650V
Обратный ток коллектора (Max) 1mA
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.6nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр Yes

FS75R07N2E4BOSA1

  • Описание
    MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6

Бесплатная доставка FS75R07N2E4BOSA1 по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули FS75R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить FS75R07N2E4BOSA1 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
12 шт.
21 шт.
от 34 670 ₽
+ 5201
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт.
1 шт.
от 5 162 789 ₽
+ 774418
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
10 шт.
4 шт.
от 25 318 ₽
+ 3798
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
200 шт.
от 43 273 ₽
+ 12982
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
110 шт.
от 53 745 ₽
+ 16124