Каталог товаров
Назад

APTGT50A170D1G

  • Описание
    IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1


APTGT50A170D1G характеристики

Серия -
Part Status Discontinued at Digi-Key
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус D1
Рабочая температура -
Рассеивание мощности 310W
Конфигурация Half Bridge
Исполнение корпуса D1
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 70A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1700V
Обратный ток коллектора (Max) 6mA
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

Характеристики

Серия -
Part Status Discontinued at Digi-Key
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус D1
Рабочая температура -
Рассеивание мощности 310W
Конфигурация Half Bridge
Исполнение корпуса D1
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 70A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1700V
Обратный ток коллектора (Max) 6mA
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Входная емкость (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

APTGT50A170D1G

  • Описание
    IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

Бесплатная доставка APTGT50A170D1G по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули APTGT50A170D1G Microsemi Corporation доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить APTGT50A170D1G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
12 шт.
21 шт.
от 35 102 ₽
+ 5265
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт.
1 шт.
от 5 038 236 ₽
+ 755735
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
10 шт.
4 шт.
от 24 707 ₽
+ 3706
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
200 шт.
от 42 229 ₽
+ 12669
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
110 шт.
от 52 448 ₽
+ 15734