Каталог товаров
Назад

APTGT150DH120G

  • Описание
    Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост; Urmax: 1,2кВ


APTGT150DH120G характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус SP6
Рабочая температура -
Рассеивание мощности 690W
Конфигурация Asymmetrical Bridge
Исполнение корпуса SP6
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 220A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 350µA
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Входная емкость (Cies) @ Vce 10.7nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Вид монтажа Chassis Mount
Корпус SP6
Рабочая температура -
Рассеивание мощности 690W
Конфигурация Asymmetrical Bridge
Исполнение корпуса SP6
Максимальный Ток Коллектора (Ic) 220A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200V
Обратный ток коллектора (Max) 350µA
Тип IGBT Trench Field Stop
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Входная емкость (Cies) @ Vce 10.7nF @ 25V
Вход Standard
NTC термистр No

APTGT150DH120G

  • Описание
    Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост; Urmax: 1,2кВ

Бесплатная доставка APTGT150DH120G по России

Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — модули APTGT150DH120G Microsemi Corporation доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить APTGT150DH120G с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
Infineon Technologies
Module: gate driver board; IGBT half-bridge; AG-EICE; PCB; 1.7kV
12 шт.
21 шт.
от 33 464 ₽
+ 5020
Infineon Technologies
MODULE IGBT STACK A-MS3-1
1 шт.
1 шт.
от 4 758 832 ₽
+ 713825
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
10 шт.
4 шт.
от 23 337 ₽
+ 3501
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
200 шт.
от 39 887 ₽
+ 11966
Infineon Technologies
IGBT 2 MED POWER 62MM-2
10 шт.
110 шт.
от 49 540 ₽
+ 14862