TXG1042QDBQRQ1 от 201 ₽, Интегральные микросхемы, Интегральная микросхема: напряжение VCCA 1,71 В ~ 5,5 В, скорость передачи данных 285Mbps, напряжение VCCB 1,71 В ~ 5,5 В, класс точности Automotive, Texas Instruments

TXG1042QDBQRQ1 характеристики	Выбрать все
Упаковка	Лента на катушке (TR)
Вид монтажа	Поверхностный монтаж (SMD)
Корпус	16-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40 °C ~ 125 °C (TA)
Тип выходного сигнала	Push-Pull, Tri-State
Особенности	-
Исполнение корпуса	16-SSOP
Количество схем	1
Скорость передачи данных	285Mbps
Входной сигнал	-
Выходной сигнал	-
Тип транслятора	Voltage Level
Тип канала	Bidirectional
Число каналов на контур	4
Напряжение - VCCA	1.71 V ~ 5.5 V
Напряжение - VCCB	1.71 V ~ 5.5 V
Класс точности	Automotive
Квалификация	AEC-Q100

Rohm Semiconductor

Интегральная микросхема: разрядность 32-Bit, размер RAM памяти 16K x 8, скорость 48 МГц, напряжение питания (Vcc/Vdd) 2,3 В ~ 5,5 В, корпус 64-TQFP

958 шт - 4-6 недель

от 3514 ₽

Кэшбэк + 527

NR1700DC000AE1P

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Интегральная микросхема: ток покоя (Iq) 21 мкА, выходное напряжение (Мин/Фиксированное) 1,2 В, выходное напряжение (Макс) 24 В, выходной ток 200 мА

2655 шт - 4-6 недель

от 1716 ₽

Кэшбэк + 257

NR1700DC000AE1S

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Интегральная микросхема: ток покоя (Iq) 21 мкА, входное напряжение (Макс) 42 В, выходное напряжение (Мин/Фиксированное) 3,5 В, корпус SC-74 А, SOT-753

2401 шт - 4-6 недель

от 1591 ₽

Кэшбэк + 239

MCP3914BA1T-E/MV

Microchip Technology

Интегральная микросхема: разрядность 24, рабочее напряжение питания (Аналог.) 2,7 В ~ 3,6 В, рабочее напряжение питания (Цифр.) 2,7 В ~ 3,6 В

3186 шт - 4-6 недель

от 2365 ₽

Кэшбэк + 355