WNS30H100CBJ характеристики	Выбрать все
Производитель	WeEn Semiconductors
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Исполнение корпуса	D2PAK
Тип диода	Schottky
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	710mV @ 15A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	50µA @ 100V
Конфигурация диода	1 Pair Common Cathode
Максимальное обратное напряжение (Vr)	100V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)	15A
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	150°C (Max)

Характеристики	Выбрать все
Производитель	WeEn Semiconductors
Серия	-
Part Status	Active
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Исполнение корпуса	D2PAK
Тип диода	Schottky
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	710mV @ 15A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	50µA @ 100V
Конфигурация диода	1 Pair Common Cathode
Максимальное обратное напряжение (Vr)	100V
Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)	15A
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	150°C (Max)

WNS30H100CBJ

WNS30H100CBJ характеристики