TLP331(BV,F) характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	6-DIP
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	8µs, 8µs
Прямое напряжение (Vf)	1.15V
Выходное напряжение (Макс)	55V
Прямой ток (If) (Max)	50mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	200% @ 1mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	1200% @ 1mA
Время включения / выключения (номинальное)	10µs, 8µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor with Base
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	6-DIP
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	8µs, 8µs
Прямое напряжение (Vf)	1.15V
Выходное напряжение (Макс)	55V
Прямой ток (If) (Max)	50mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	200% @ 1mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	1200% @ 1mA
Время включения / выключения (номинальное)	10µs, 8µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

TLP331(BV,F)

TLP331(BV,F) характеристики