TLP293-4(TP,E характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	4
Исполнение корпуса	16-SO
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	3750Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	2µs, 3µs
Прямое напряжение (Vf)	1.25V
Выходное напряжение (Макс)	80V
Прямой ток (If) (Max)	50mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	50% @ 5mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	600% @ 5mA
Время включения / выключения (номинальное)	3µs, 3µs
Напряжение насыщения (Макс)	300mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	4
Исполнение корпуса	16-SO
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	3750Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	2µs, 3µs
Прямое напряжение (Vf)	1.25V
Выходное напряжение (Макс)	80V
Прямой ток (If) (Max)	50mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	50% @ 5mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	600% @ 5mA
Время включения / выключения (номинальное)	3µs, 3µs
Напряжение насыщения (Макс)	300mV

TLP293-4(TP,E

TLP293-4(TP,E характеристики