QT1010T1-W характеристики	Выбрать все
Производитель	QT Brightek (QTB)
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	4-Mini-Flat
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	2.8µs, 4µs
Прямое напряжение (Vf)	1.42V
Выходное напряжение (Макс)	80V
Прямой ток (If) (Max)	50mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	50% @ 5mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	600% @ 5mA
Время включения / выключения (номинальное)	4.8µs, 4.2µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	QT Brightek (QTB)
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads
Тип входа	DC
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	1
Исполнение корпуса	4-Mini-Flat
Выходной ток на канал	50mA
Изоляционное напряжение	5000Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	2.8µs, 4µs
Прямое напряжение (Vf)	1.42V
Выходное напряжение (Макс)	80V
Прямой ток (If) (Max)	50mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	50% @ 5mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	600% @ 5mA
Время включения / выключения (номинальное)	4.8µs, 4.2µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

QT1010T1-W

QT1010T1-W характеристики