PMBFJ110,215 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	250mW
Исполнение корпуса	SOT-23 (TO-236AB)
Base Part Number	MBFJ110
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	25V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	10mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	4V @ 1µA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	18 Ohms

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	250mW
Исполнение корпуса	SOT-23 (TO-236AB)
Base Part Number	MBFJ110
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	25V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	10mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	4V @ 1µA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	18 Ohms

PMBFJ110,215

PMBFJ110,215 характеристики