MOCD213R2VM характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-40°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	2
Исполнение корпуса	8-SO Tall
Выходной ток на канал	150mA
Изоляционное напряжение	2500Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	1.6µs, 2.2µs
Прямое напряжение (Vf)	1.25V
Выходное напряжение (Макс)	70V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	100% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	3µs, 2.8µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

Характеристики	Выбрать все
Производитель	ON Semiconductor
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип входа	DC
Рабочая температура	-40°C ~ 100°C
Тип выходного сигнала	Transistor
Количество каналов	2
Исполнение корпуса	8-SO Tall
Выходной ток на канал	150mA
Изоляционное напряжение	2500Vrms
Время нарастания / Время затухания (Номинальное)	1.6µs, 2.2µs
Прямое напряжение (Vf)	1.25V
Выходное напряжение (Макс)	70V
Прямой ток (If) (Max)	60mA
Коэффициент усиления по току (Мин)	100% @ 10mA
Коэффициент усиления по току (Макс)	-
Время включения / выключения (номинальное)	3µs, 2.8µs
Напряжение насыщения (Макс)	400mV

MOCD213R2VM

MOCD213R2VM характеристики