J175 характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	350mW
Исполнение корпуса	TO-92
Тип полевого транзистора	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5.5pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	7mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	3V @ 10nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	125 Ohms

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	350mW
Исполнение корпуса	TO-92
Тип полевого транзистора	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5.5pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	7mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	3V @ 10nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	125 Ohms

J175

J175 характеристики