J112,126 характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Box (TB)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	400mW
Исполнение корпуса	TO-92-3
Base Part Number	J112
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	40V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	5mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	1V @ 1µA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	50 Ohms

Характеристики	Выбрать все
Производитель	NXP USA Inc.
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Box (TB)
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	400mW
Исполнение корпуса	TO-92-3
Base Part Number	J112
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6pF @ 10V (VGS)
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	40V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	5mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	1V @ 1µA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	50 Ohms

J112,126

J112,126 характеристики