IRF6727MTRPBF от 505 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 180А; 89Вт; DirectFET, Infineon Technologies

IRF6727MTRPBF характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric MX
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ MX
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 32A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6190pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Серия	HEXFET®
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	DirectFET™ Isometric MX
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	DIRECTFET™ MX
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 32A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6190pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V