PMF63UN,115 от 39 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323, NXP USA Inc.

PMF63UN,115 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-70, SOT-323
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-323-3
Рассеивание мощности (Макс)	275mW (Ta), 1.785W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	74 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	185pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SC-70, SOT-323
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-323-3
Рассеивание мощности (Макс)	275mW (Ta), 1.785W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	74 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	185pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V